Infineon wird die Kapazität seines großen Halbleiterwerks in Richmond (USA) erweitern. Dazu werden in einer ersten Phase Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips auf 300 mm Wafern installiert, so dass die Produktion ab Anfang 2005 beginnen kann. Mit dem Erweiterungsprojekt im Wert von 1 Milliarde US-Dollar schafft Infineon die Voraussetzungen für künftige Produkte.
Nach Abschluss der ersten Expansionsphase können monatlich 25.000 Wafer-Starts in 300 mm Technologie an dem Standort erreicht werden. Im neuen 300 mm Produktionsmodul werden zunächst DRAM-Chips in 110 nm hergestellt, wobei eine schnelle Umstellung auf 90 nm Produkte geplant ist.
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